[发明专利]Cr-Si系烧结体、溅射靶及薄膜的制造方法有效
| 申请号： | 202180022499.4 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN115298149B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 原浩之;召田雅实;增田彩花 | 申请（专利权）人： | 东曹株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 龚敏;王刚 |
| 地址： | 日本国山口县*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cr si 烧结 溅射 薄膜 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种Cr-Si系烧结体，其包含Cr和Si，
所述Cr-Si系烧结体包含晶态的CrSi2相和晶态的Si相，
所述Cr-Si系烧结体中所述Si相的含量为40质量％以上，
所述Cr-Si系烧结体相对于所述Cr-Si系烧结体的真密度的相对密度为95％以上，
所述CrSi2相的平均晶粒粒径为40μm以下，
所述Si相的平均晶粒粒径为30μm以下，
所述Cr-Si系烧结体中杂质的含量合计为200质量ppm以下，
所述杂质为选自Mn、Fe、Mg、Ca、Sr和Ba中的至少一种元素。
2.根据权利要求1所述的Cr-Si系烧结体，其中，抗弯强度为100MPa以上。
3.根据权利要求1或2所述的Cr-Si系烧结体，其中，所述Cr-Si系烧结体中的氧含量为1质量％以下。
4.一种溅射靶，其包含权利要求1～3中任一项所述的Cr-Si系烧结体。
5.一种薄膜的制造方法，其包括：通过使用权利要求4所述的溅射靶的溅射来形成薄膜的工序。
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