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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]铬烧结体及其制造方法、溅射靶以及带铬膜的基板的制造方法-CN202310218365.0在审
发明人： 召田雅实;正能大起;伊藤谦一;花轮浩一 -专利权人：东曹株式会社;东曹先进材料株式会社
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： B22F5/00 文献下载
摘要：本发明涉及铬烧结体及其制造方法、溅射靶以及带铬膜的基板的制造方法。铬烧结体包含颗粒。颗粒的平均KAM值为2°以下，颗粒的平均粒径大于150μm且为400μm以下。
烧结及其制造方法溅射以及带铬膜

[发明专利]Cr-Si系烧结体、溅射靶及薄膜的制造方法-CN202180022499.4有效
发明人：原浩之;召田雅实;增田彩花 -专利权人：东曹株式会社
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：Cr‑Si系烧结体含有Cr和Si。Cr‑Si系烧结体包含晶态的CrSi2相和晶态的Si相。Cr‑Si系烧结体中的Si相的含量为40质量％以上。Cr‑Si系烧结体相对于其真密度的相对密度为95％以上。CrSi2相的平均晶粒粒径为40μm以下，Si相的平均晶粒粒径为30μm以下。Cr‑Si系烧结体中杂质含量的合计为200质量ppm以下，杂质为选自由Mn、Fe、Mg、Ca、Sr和Ba组成的组中的至少一种元素。
cr si 烧结溅射薄膜制造方法

[发明专利]Cr-Si-C系烧结体-CN202180037179.6在审
发明人：原浩之;召田雅实;增田彩花 -专利权人：东曹株式会社
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供包含铬(Cr)、硅(Si)、碳(C)的高密度的Cr‑Si‑C系烧结体，进一步提供高密度的Cr‑Si‑C系烧结体、包含其的溅射靶及使用该溅射靶的膜的制造方法中的至少任一者。根据本发明，能够提供一种Cr‑Si‑C系烧结体，具有，其为包含铬(Cr)、硅(Si)、碳(C)的Cr‑Si‑C系烧结体，烧结体的相对密度为90％以上且孔隙率为13％以下的特征。
cr si 烧结

[发明专利]金属-Si系粉末、其制造方法、以及金属-Si系烧结体、溅射靶和金属-Si系薄膜的制造方法-CN202180035927.7在审
发明人：原浩之;召田雅实 -专利权人：东曹株式会社
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： B22F1/05 文献下载
摘要：金属‑Si系粉末含有包含多个结晶相颗粒的金属‑Si系颗粒。结晶相颗粒包含含有金属和Si的化合物的结晶相。结晶相颗粒具有例如20μm以下的平均粒径。金属‑Si系颗粒具有例如5～100μm的平均粒径。
金属 si 粉末制造方法以及烧结溅射薄膜

[发明专利]硅化物系合金材料、以及使用了该硅化物系合金材料的元件-CN202180036159.7在审
发明人：秋池良;幸田阳一朗;召田雅实 -专利权人：东曹株式会社
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本公开以如下的硅化物系合金材料以及使用了该硅化物系合金材料的元件为课题，所述硅化物系合金材料能够降低环境负荷，并且能够在室温下获得较高的热电转换性能。提供一种硅化物系合金材料，其特征在于，其为以银、钡、硅为主要成分的硅化物系合金材料，且在将银、钡、硅的含量分别设为Ag、Ba、Si时，构成该合金材料的元素的原子比满足如下关系，即：9at％≤Ag/(Ag+Ba+Si)≤27at％20at％≤Ba/(Ag+Ba+Si)≤53at％37at％≤Si/(Ag+Ba+Si)≤65at％，并且，平均晶体粒径为20μm以下。
硅化物系合金材料以及使用元件

[发明专利]钇铸锭以及使用其的溅射靶材-CN202180030295.5在审
发明人：土田裕也;召田雅实;原浩之;松永修 -专利权人：东曹株式会社
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：提供可获得微粒产生少的钇溅射靶材和能够得到钇溅射靶材的钇铸锭；所述钇溅射靶材的耐等离子体性高且可得到能够实现高成膜速度的低电阻。一种钇铸锭，其特征在于，以氟原子计的含量为10wt％以下，制成靶材时的溅射面的表面粗糙度为10nm以上且2μm以下，钇铸锭内的直径100μm以上的孔隙数为0.1个/cm2以下，相对密度为96％以上。
铸锭以及使用溅射

[发明专利]层叠膜、包含前述层叠膜的结构体、半导体元件和电子设备以及前述层叠膜的制造方法-CN202180025579.5在审
发明人：末本祐也;上冈义弘;召田雅实 -专利权人：东曹株式会社
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：提供无裂纹的层叠膜和包含该层叠膜的结构体。该层叠膜包含缓冲层和配置在前述缓冲层之上的至少1层的氮化镓系膜。另外，层叠膜整体的压缩应力为‑2.0GPa以上且5.0GPa以下。
层叠包含前述结构半导体元件电子设备以及制造方法

[发明专利]氮化镓粒子及其制造方法-CN201880038957.1有效
发明人： 召田雅实;仓持豪人 -专利权人：东曹株式会社
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C01B21/06 文献下载
摘要：本发明提供一种可制作高密度、高强度的氮化镓的溅射靶的氧含量少且成形性高的氮化镓粒子。通过使氧化镓和氮化镓的混合粉末在1000～1100℃的温度下以每小时的氨反应量相对于投入的镓量成为1倍摩尔以上的比例的方式进行反应，得到氧含量为1atm％以下、一次粒子的平均粒径为5μm以上、粒度分布中从最小粒子起算达到10面积％的范围的粒径(10％粒径)为3μm以下的氮化镓粒子。
氮化粒子及其制造方法

[发明专利]氮化镓系烧结体和其制造方法-CN202010696987.0有效
发明人： 召田雅实;仓持豪人 -专利权人：东曹株式会社
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明的目的在于，制造低氧量、高密度、低电阻的氮化镓薄膜用溅射靶材。通过利用为含氧量少、体积密度高的粉末物性的氮化镓粉末，在高温、高真空下进行热压处理，从而可以制作低氧量且高密度、低电阻的氮化镓烧结体。
氮化烧结制造方法

[发明专利]层叠膜结构体和其制造方法-CN202080075909.7在审
发明人：土田裕也;末本祐也;上冈义弘;召田雅实;仓持豪人;长田贵弘;桑立雯;知京丰裕 -专利权人：东曹株式会社;国立研究开发法人物质·材料研究机构
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：提供：具有高的结晶性和平坦性的层叠膜结构体和其制造方法。该层叠膜结构体具备：Si(111)基板；设置在前述Si(111)基板上的由氮化物系材料和/或铝形成的第1薄膜；和，设置在前述第1薄膜上的由氮化物系材料形成的第2薄膜，在前述Si(111)基板上存在厚度为0nm以上且低于1.0nm的非层晶体，前述层叠膜结构体的表面的(0002)面的摇摆曲线的半值宽度(FWHM)为1.50°以下。
层叠膜结构制造方法

[发明专利]氮化镓颗粒和其制造方法-CN202080069801.7在审
发明人： 召田雅实;仓持豪人;原慎一 -专利权人：东曹株式会社
申请日： 2020-10-02 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C01B21/06 文献下载
摘要：提供一种适合用于原料、烧结体的氧含量少且高纯度的氮化镓颗粒。使用一种氮化镓颗粒，其特征在于，氧含量为0.5原子％以下，Si、Ge、Sn、Pb、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd的元素的总杂质量低于10wtppm。
氮化颗粒制造方法

[发明专利]氮化镓系烧结体和其制造方法-CN201980066557.6在审
发明人： 召田雅实;仓持豪人;土田裕也 -专利权人：东曹株式会社
申请日： 2019-10-07 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供：为低氧量、高强度的大型氮化镓系烧结体和用于得到通过掺杂剂成为n型、或p型半导体的高结晶氮化镓薄膜的低氧量、含掺杂剂的大型氮化镓系烧结体以及其制造方法。提供一种氮化镓系烧结体，其特征在于，氧含量为1原子％以下，平均粒径(D50)为1μm以上且150μm以下。
氮化烧结制造方法

[发明专利]氮化镓系烧结体和其制造方法-CN201680015322.0有效
发明人： 召田雅实;仓持豪人 -专利权人：东曹株式会社
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明的目的在于，制造低氧量、高密度、低电阻的氮化镓薄膜用溅射靶材。通过利用为含氧量少、体积密度高的粉末物性的氮化镓粉末，在高温、高真空下进行热压处理，从而可以制作低氧量且高密度、低电阻的氮化镓烧结体。
氮化烧结制造方法

[发明专利]氮化镓成形物及其制造方法以及氮化镓溅射靶材-CN201510648721.8有效
发明人： 召田雅实;松丸庆太郎;高桥小弥太;菊池僚;涩田见哲夫 -专利权人：东曹株式会社
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明提供不使用特殊装置的、高密度且低氧量的氮化镓成形物及其制造方法以及氮化镓溅射靶材。根据第二实施方式，可以获得一种金属镓浸透氮化镓成形物，其特征在于，其包含以各自的相的形式存在的氮化镓相和金属镓相，Ga/(Ga+N)的摩尔比为55％以上且80％以下。
氮化成形及其制造方法以及溅射

[发明专利]氧化锌烧结体、溅射靶材以及氧化锌薄膜-CN201180058840.8有效
发明人： 召田雅实;仓持豪人;饭草仁志;尾身健治;涩田见哲夫 -专利权人：东曹株式会社
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明提供一种锆的含量为10～1000ppm的氧化锌烧结体、以及由该氧化锌烧结体形成的溅射靶材。另外，本发明提供一种锆的含量为10～2000ppm、电阻率为10Ω·cm以上的氧化锌薄膜。
氧化锌烧结溅射以及薄膜

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