[发明专利]成膜方法以及等离子处理方法在审
| 申请号： | 202180009204.X | 申请日： | 2021-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN116615796A | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 佐藤清彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴秋明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 为了能形成用于图案的侧壁保护、膜质良好且蚀刻速率低并且侧壁的覆盖范围良好的膜，成膜方法具有：第1工序，在对真空处理室供给气体的同时生成等离子，通过该生成的等离子在被处理基板的表面形成膜；第2工序，在该第1工序后，通过等离子除去卤素元素；和第3工序，在该第2工序后，通过等离子使膜氧化或氮化。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 以及 等离子 处理 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
