[发明专利]成膜方法以及等离子处理方法

权利要求书

1.一种成膜方法，其特征在于，具有：

第1工序，在对真空处理室供给气体的同时生成等离子，通过所生成的所述等离子在被处理基板的表面形成膜；

第2工序，在所述第1工序后，通过等离子除去卤素元素；以及

第3工序，在所述第2工序后，通过等离子使所述膜氧化或氮化。

2.一种成膜方法，其特征在于，具有：

第1工序，在将气体对真空处理室供给给定时间后，生成等离子，通过所生成的所述等离子在被处理基板的表面形成膜；

第2工序，在所述第1工序后，通过等离子除去卤素元素；以及

第3工序，在所述第2工序后，通过等离子使所述膜氧化或氮化。

3.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

所述气体是含有硅元素以及卤素元素的气体。

4.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

多次重复所述第1工序到所述第3工序。

5.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

所述第1工序的等离子处理中的时间是所述第2工序的等离子处理中的时间以下的时间，

所述第2工序的等离子处理中的时间是所述第3工序的等离子处理中的时间以下的时间。

6.根据权利要求5所述的成膜方法，其特征在于，

所述第1工序的等离子处理时间是1～3秒的范围内的时间。

7.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

所述第1工序的等离子处理中的压力以及所述第2工序的等离子处理中的压力是所述第3工序的等离子处理中的压力以下的压力。

8.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

所述气体是四氯化硅气体。

9.根据权利要求8所述的成膜方法，其特征在于，

所述第2工序中所用的等离子使用含有氢元素的气体来生成。

10.一种等离子处理方法，其特征在于，具有：

第1工序，在对真空处理室供给气体的同时生成等离子，通过所生成的所述等离子在被处理基板的表面形成膜；

第2工序，在所述第1工序后，通过等离子除去卤素元素；

第3工序，在所述第2工序后，通过等离子使所述膜氧化或氮化；以及

第4工序，在所述第3工序后，对被处理膜进行等离子蚀刻。

11.一种等离子处理方法，其特征在于，具有：

第1工序，在将气体对真空处理室供给给定时间后，生成等离子，通过所生成的所述等离子在被处理基板的表面形成膜；

第2工序，在所述第1工序后，通过等离子除去卤素元素；

第3工序，在所述第2工序后，通过等离子使所述膜氧化或氮化；以及

第4工序，在所述第3工序后，对被处理膜进行等离子蚀刻。