[发明专利]三维集成结构及其形成方法

摘要

提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括具有第一侧的第一衬底层，装置形成在该第一侧之上。在半导体装置中，第一电介质结构形成在第一衬底层的其中定位所述装置的第一侧之上。第一电介质结构包括与第一衬底层的第一侧接触的底表面。第一电介质结构的底表面的一部分不被第一衬底层覆盖。半导体装置还包括第一电子结构，其定位在第一电介质结构的底表面的未被覆盖的部分之上，使得第一电子结构和第一衬底层定位在第一电介质结构的底表面的同一侧。第一电子结构键合到第一电介质结构。