[发明专利]具有凹陷栅极晶体管的外围电路及其形成方法在审
| 申请号： | 202180002506.4 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113678253A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 石艳伟;王言虹;甘程;陈亮;刘威;夏志良;周文犀;张坤;杨远程 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11526;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在某些方面中，公开了一种用于形成三维(3D)存储器装置的方法。在第一衬底上形成包括NAND存储器串的阵列的第一半导体结构。在第二衬底上形成包括凹陷栅极晶体管的第二半导体结构。所述凹陷栅极晶体管包括深入到所述第二衬底中的凹陷栅极结构。以面对面的方式键合所述第一半导体结构和所述第二半导体结构，使得所述NAND存储器串的阵列横跨键合界面耦接至所述凹陷栅极晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 凹陷 栅极 晶体管 外围 电路 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
