[实用新型]一种刻蚀机刻蚀气体进气结构有效
| 申请号： | 202122802888.9 | 申请日： | 2021-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN216250635U | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 汪剑;陈亮;朱伟明;徐良;李昌勋;刘建哲;冯晋荃;彭艳亮;韩理想;祝小林 | 申请（专利权）人： | 黄山博蓝特光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/67 |
| 代理公司： | 杭州凌通知识产权代理有限公司 33316 | 代理人： | 叶绿林 |
| 地址： | 245000 安徽省黄山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种刻蚀机刻蚀气体进气结构，包括刻蚀气体分流盘，所述刻蚀气体分流盘的上表面中间区域设置有布气内沉台，所述布气内沉台内至少设置有一圈内圈喷孔；所述刻蚀气体分流盘的上表面还设置有一圈布气外凹环，所述布气外凹环内设置有外圈喷孔；所述布气内沉台和布气外凹环间设置有阻隔层。本实用新型能够避免内圈刻蚀气体与外圈刻蚀气体间的相互干扰，提高刻蚀气体进入刻蚀盘内圈和外圈的均匀性，从而保证晶片刻蚀的一致性，可广泛应用于晶片刻蚀加工技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 气体 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
