[实用新型]一种刻蚀机刻蚀气体进气结构有效
| 申请号: | 202122802888.9 | 申请日: | 2021-11-16 |
| 公开(公告)号: | CN216250635U | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
| 发明(设计)人: | 汪剑;陈亮;朱伟明;徐良;李昌勋;刘建哲;冯晋荃;彭艳亮;韩理想;祝小林 | 申请(专利权)人: | 黄山博蓝特光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/67 |
| 代理公司: | 杭州凌通知识产权代理有限公司 33316 | 代理人: | 叶绿林 |
| 地址: | 245000 安徽省黄山*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 刻蚀 气体 结构 | ||
本实用新型公开了一种刻蚀机刻蚀气体进气结构,包括刻蚀气体分流盘,所述刻蚀气体分流盘的上表面中间区域设置有布气内沉台,所述布气内沉台内至少设置有一圈内圈喷孔;所述刻蚀气体分流盘的上表面还设置有一圈布气外凹环,所述布气外凹环内设置有外圈喷孔;所述布气内沉台和布气外凹环间设置有阻隔层。本实用新型能够避免内圈刻蚀气体与外圈刻蚀气体间的相互干扰,提高刻蚀气体进入刻蚀盘内圈和外圈的均匀性,从而保证晶片刻蚀的一致性,可广泛应用于晶片刻蚀加工技术领域。
技术领域
本实用新型涉及衬底刻蚀设备技术领域,尤其是涉及一种刻蚀机刻蚀气体进气结构。
背景技术
刻蚀机作为衬底刻蚀常用的设备,在衬底加工领域广泛使用。其主要有刻蚀盘,位于刻蚀盘上方的刻蚀气体分流盘组成,刻蚀盘有内圈衬底放置区和外圈衬底放置区,多个衬底被放置在刻蚀盘的内圈衬底放置区和外圈衬底放置区上,然后通过上方的刻蚀气体分流盘向刻蚀盘和刻蚀气体分流盘组成的刻蚀腔内通入刻蚀气体。现有气体分流盘上设置有内圈喷孔和外圈喷孔,在气体分流盘的上方设置有盖板,盖板上设置有两个进气管道分别对应向内圈喷孔和外圈喷孔,再由内圈喷孔和外圈喷孔进入刻蚀腔体内对衬底进行刻蚀。在使用中发现,该分流盘(GDP)在加刻蚀气体时,由于气体分流盘上方是平面结构,两个进气管道同时进气时,内外圈气流会相互干扰,从而无法保证内外圈气体分布的均匀性,这就导致了刻蚀的过程中内圈和外圈的刻蚀效率存在差异,使位于内圈和外圈的衬底刻蚀量不一致。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种刻蚀机刻蚀气体进气结构,解决现有分流盘进气易造成刻蚀气体分布不均匀,从而导致衬底刻蚀不均匀的问题。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种刻蚀机刻蚀气体进气结构,包括刻蚀气体分流盘,所述刻蚀气体分流盘的上表面中间区域设置有布气内沉台,所述布气内沉台内至少设置有一圈内圈喷孔;所述刻蚀气体分流盘的上表面还设置有一圈布气外凹环,所述布气外凹环内设置有外圈喷孔;所述布气内沉台和布气外凹环间设置有阻隔层。
为进一步保证刻蚀气体分布的均匀性,所述阻隔层上设置有与布气内沉台连通的内圈进气通道,所述阻隔层上还设置有外圈进气通道及与外圈进气通道连通的外圈主配气凹槽,外圈主配气凹槽与布气外凹环间均匀分布有一组引流槽。
进一步的,所述刻蚀气体分流盘上还设置有盖板,盖板上设置有与内圈进气通道连通的内圈进气管和与外圈进气通道连通的外圈进气管。
本实用新型的有益效果:本实用新型通过对刻蚀气体分流盘的结构进行优化,形成相互隔开的布气内沉台和布气外凹环,并通过内圈进气管和外圈进气管分别对内圈喷孔和外圈喷孔进行配气,从而有效解决了两者间相互干扰的问题,保证进气量的稳定性,提高刻蚀的均匀性。所述内圈喷孔和外圈喷孔隔离采用内沉台和布气外凹环的布置方式,结构简单,加工方便。同时,为提高外圈喷孔进气的均匀性,采用外圈主配气凹槽和引流槽配合的方式对布气外凹环进行进气,能够保证布气外凹环内刻蚀气体分布的均匀性,从而保证每个外圈喷孔进气的均匀性。
以下将结合附图和实施例,对本实用新型进行较为详细的说明。
附图说明
图1为本实用新型的爆炸视图。
图2为本实用新型中刻蚀气体分流盘与刻蚀盘的空间位置关系图。
图3为本实用新型中刻蚀气体分流盘的俯视图。
图4为图3中A-A的剖视图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





