[实用新型]一种IGBT芯片有效
| 申请号： | 202121736458.5 | 申请日： | 2021-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN215299259U | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 翟露青 | 申请（专利权）人： | 淄博美林电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所(普通合伙) 37223 | 代理人： | 孙爱华 |
| 地址： | 255000 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种IGBT芯片，属于半导体技术领域。包括P型注入区（13），在P型注入区（13）上方依次设置有N型缓冲区（12）和N型漂移区（10），在N漂移区（10）的边缘处设置有耐压环（5），其特征在于：在所述耐压环（5）的外侧设置有绝缘层（4），绝缘层（4）自耐压环（5）的顶部向下延伸至N型漂移区（10）处。在本IGBT芯片中，通过在终端区的外侧形成绝缘层，减少了芯片外侧终端区的宽度，因此在相同的面积下增加了芯片有效区的面积，提高了电流的导通能力。相比较现有技术中氮化硅或者氧化硅钝化技术，使用玻璃钝化技术，能更好的抑制漏电流的产生，提高芯片的耐高温能力，提升了芯片的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 芯片 | ||
【主权项】：
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