[实用新型]一种IGBT芯片有效
| 申请号： | 202121736458.5 | 申请日： | 2021-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN215299259U | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 翟露青 | 申请（专利权）人： | 淄博美林电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所(普通合伙) 37223 | 代理人： | 孙爱华 |
| 地址： | 255000 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种IGBT芯片，包括P型注入区（13），在P型注入区（13）上方依次设置有N型缓冲区（12）和N型漂移区（10），在N型漂移区（10）的边缘处设置有耐压环（5），其特征在于：在所述耐压环（5）的外侧设置有绝缘层（4），绝缘层（4）自耐压环（5）的顶部向下延伸至N型漂移区（10）处。
2.根据权利要求1所述的IGBT芯片，其特征在于：在所述N型漂移区（10）上方，耐压环（5）的内侧设置有P-body型区（9），在P-body型区（9）处间隔设置多个沟槽，在沟槽的两侧设置有N+型区（8），在沟槽以及其两侧的N+型区（8）的上方设置有顶部绝缘层（6），最外侧的顶部绝缘层（6）向外延伸至所述的绝缘层（4）处。
3.根据权利要求2所述的IGBT芯片，其特征在于：在所述沟槽的内表面形成栅氧化层之后填充有多晶硅，自多晶硅中引出栅极（2）。
4.根据权利要求2所述的IGBT芯片，其特征在于：在所述沟槽的上方覆盖有金属层（7），金属层（7）自相邻两个沟槽之间的间隙内向下延伸与P-body型区（9）连接，自金属层（7）处引出发射极（1）。
5.根据权利要求1所述的IGBT芯片，其特征在于：所述的绝缘层（4）为玻璃材质。
6.根据权利要求1所述的IGBT芯片，其特征在于：自所述P型注入区（13）引出集电极（11）。
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