[实用新型]一种刻蚀槽、硅片处理系统及太阳能电池制造系统有效
| 申请号: | 202121575388.X | 申请日: | 2021-07-12 |
| 公开(公告)号: | CN216488099U | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
| 发明(设计)人: | 朱广东;李华;刘继宇 | 申请(专利权)人: | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人: | 付珍;王胜利 |
| 地址: | 225300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本实用新型公开一种刻蚀槽、硅片处理系统及太阳能电池制造系统,涉及光伏技术领域,以提高臭氧水溶液刻蚀槽的刻蚀效果。该刻蚀槽用于容纳刻蚀剂并刻蚀硅片;刻蚀槽包括主槽、辅槽和链式传输装置。主槽具有盖合主槽的密封盖;主槽的侧壁开设有硅片进口和硅片出口;链式传输装置设在主槽内硅片进口和硅片出口之间;辅槽围设在主槽外,辅槽与主槽的侧壁之间具有间隙,辅槽与主槽通过给液装置连通。本实用新型提供的刻蚀槽、硅片处理系统及太阳能电池制造系统用于制造太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 刻蚀 硅片 处理 系统 太阳能电池 制造 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





