[实用新型]一种刻蚀槽、硅片处理系统及太阳能电池制造系统

权利要求书

1.一种刻蚀槽，其特征在于，用于容纳刻蚀剂并刻蚀硅片；所述刻蚀槽包括主槽、辅槽和链式传输装置；

所述主槽具有盖合所述主槽的密封盖；所述主槽的侧壁开设有硅片进口和硅片出口；所述链式传输装置设在所述主槽内所述硅片进口和所述硅片出口之间；所述辅槽围设在所述主槽外，所述辅槽与所述主槽的侧壁之间具有间隙，所述辅槽与所述主槽通过给液装置连通。

2.根据权利要求1所述刻蚀槽，其特征在于，所述主槽为浸没式刻蚀槽；所述链式传输装置为双滚轮式传输装置。

3.根据权利要求1所述刻蚀槽，其特征在于，所述硅片进口和硅片出口均呈长方形；所述硅片进口和硅片出口的面积均为所述硅片横截面面积的1.05倍～1.5倍。

4.根据权利要求1～3任一项所述刻蚀槽，其特征在于，所述辅槽的底壁与所述主槽的底壁之间具有间隙，或所述辅槽的底壁与所述主槽的底壁重合。

5.根据权利要求1～3任一项所述刻蚀槽，其特征在于，所述辅槽的侧壁的高度小于等于所述硅片进口和所述硅片出口的高度；或者，所述辅槽的侧壁的高度大于所述硅片进口和所述硅片出口的高度，所述辅槽的侧壁上对应硅片进口的位置开设有辅助进口，所述辅槽的侧壁上对应硅片出口的位置开设有辅助出口。

6.根据权利要求1～3任一项所述刻蚀槽，其特征在于，所述给液装置为给液泵，所述给液泵的进液口与所述辅槽连通，所述给液泵的出液口与所述主槽连通。

7.一种硅片处理系统，其特征在于，包括权利要求1～6任一项所述的刻蚀槽。

8.根据权利要求7所述硅片处理系统，其特征在于，所述硅片处理系统包括依次连接的第一刻蚀槽、第一水洗槽和第二刻蚀槽；

所述第一刻蚀槽中容纳有碱性刻蚀溶液，用于去除硅片表面的硅材料；所述第一水洗槽用于清洗硅片；所述第二刻蚀槽为权利要求1～6任一项所述的刻蚀槽；所述第二刻蚀槽中容纳有臭氧水溶液，用于去除硅片表面的氧化物。

9.根据权利要求8所述硅片处理系统，其特征在于，所述硅片处理系统还包括相互连接的第二水洗槽和烘干装置，所述第二水洗槽与所述第二刻蚀槽连接；所述烘干装置用于烘干硅片；和/或，

所述硅片处理系统还包括相互连接的第三刻蚀槽和第三水洗槽，所述第三刻蚀槽与所述第一水洗槽连接，所述第三水洗槽与所述第二刻蚀槽连接；所述第三刻蚀槽中容纳有盐酸溶液；和/或，

所述硅片处理系统还包括相互连接的第四刻蚀槽和第四水洗槽，所述第四刻蚀槽与所述第二水洗槽连接，所述第四水洗槽与所述烘干装置连接；所述第四刻蚀槽中容纳有氢氟酸，用于清洗硅片。

10.根据权利要求9所述硅片处理系统，其特征在于，所述第一刻蚀槽为链式单面刻蚀槽或链式浸没刻蚀槽，所述第三刻蚀槽、所述第四刻蚀槽、所述第一水洗槽、所述第二水洗槽、所述第三水洗槽和所述第四水洗槽均为链式浸没刻蚀槽。

11.根据权利要求9所述硅片处理系统，其特征在于，所述第一刻蚀槽、所述第二刻蚀槽、所述第三刻蚀槽、所述第四刻蚀槽、所述第一水洗槽、所述第二水洗槽、所述第三水洗槽和所述第四水洗槽均为滚轮式刻蚀槽。

12.根据权利要求7-11任一项所述硅片处理系统，其特征在于，所述硅片处理系统还包括链式传输装置，所述硅片处理系统所包括的各刻蚀槽和各水洗槽之间通过链式传输装置连接；所述链式传输装置用于承载并传输硅片；其中，所述链式传输装置为滚轮式传送装置或履带式传送装置。

13.一种太阳能电池制造系统，其特征在于，包括权利要求7～12任一项所述硅片处理系统。