[实用新型]一种晶圆刻蚀装置有效
| 申请号： | 202121407347.X | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN215834502U | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 庄军港;陈学诣;贾鹏燕 | 申请（专利权）人： | 宁波得力微机电芯片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 宁波诚源专利事务所有限公司 33102 | 代理人： | 胡志萍;王莹 |
| 地址： | 315000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种晶圆刻蚀装置，包括放置平台，用于放置待加工的晶圆，晶圆上表面上附着有经过光刻处理的光刻胶；喷枪，设置在放置平台的上方；储砂罐，通过输砂管道与喷枪相连接，用于储存金刚砂；气体压缩机，通过输气管道与喷枪相连接，用于向喷枪内输送压缩空气；回砂槽，设置在放置平台的下方且向上开口，所述回砂槽通过回砂管道与储砂罐相连接，用于收集金刚砂并回送至储砂罐内；控制单元，分别与喷枪、气体压缩机电信号连接。该晶圆刻蚀装置在刻蚀中不使用化学品和RF射频源，也能达到所要求的图形化衬底的制备，同时能够减少成本和环境污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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