[实用新型]一种晶圆刻蚀装置有效
申请号: | 202121407347.X | 申请日: | 2021-06-23 |
公开(公告)号: | CN215834502U | 公开(公告)日: | 2022-02-15 |
发明(设计)人: | 庄军港;陈学诣;贾鹏燕 | 申请(专利权)人: | 宁波得力微机电芯片技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 宁波诚源专利事务所有限公司 33102 | 代理人: | 胡志萍;王莹 |
地址: | 315000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 刻蚀 装置 | ||
1.一种晶圆刻蚀装置,其特征在于:包括
放置平台(1),用于放置待加工的晶圆(2),所述晶圆(2)上表面上附着有经过光刻处理的光刻胶(21);
喷枪(3),设置在放置平台(1)的上方;
储砂罐(4),通过输砂管道(41)与喷枪(3)相连接,用于储存金刚砂;
气体压缩机(5),通过输气管道(51)与喷枪(3)相连接,用于向喷枪(3)内输送压缩空气;
回砂槽(6),设置在放置平台(1)的下方且向上开口,所述回砂槽(6)通过回砂管道(61)与储砂罐(4)相连接,用于收集金刚砂并回送至储砂罐(4)内;
控制单元,分别与喷枪(3)、气体压缩机(5)电信号连接。
2.根据权利要求1所述的晶圆刻蚀装置,其特征在于:还包括机架以及设置在机架上的驱动机构,所述驱动机构与控制单元电信号连接;
所述喷枪(3)固定在驱动机构的驱动端,所述放置平台(1)固定设置在机架上。
3.根据权利要求2所述的晶圆刻蚀装置,其特征在于:所述驱动机构为能在水平方向上进行二维运动的驱动机构。
4.根据权利要求3所述的晶圆刻蚀装置,其特征在于:所述驱动机构是能沿横向和纵向移动的驱动机构。
5.根据权利要求1至4任一权利要求所述的晶圆刻蚀装置,其特征在于:所述输气管道(51)上设置有与控制单元电信号连接的气压调节阀(511)。
6.根据权利要求1至4任一权利要求所述的晶圆刻蚀装置,其特征在于:所述输砂管道(41)上设置有与控制单元电信号连接的第一流量调节阀(411),所述回砂管道(61)上设置有与控制单元电信号连接的第二流量调节阀(611)。
7.根据权利要求1至4任一权利要求所述的晶圆刻蚀装置,其特征在于:所述储砂罐(4)内设置有与控制单元电信号连接的干燥度传感器(42)。
8.根据权利要求1至4任一权利要求所述的晶圆刻蚀装置,其特征在于:还包括用于对回砂槽(6)内的金刚砂进行加热的加热装置(7),以及设置在回砂槽(6)内的温度传感器(62),所述加热装置(7)、温度传感器(62)分别与控制单元电信号连接。
9.根据权利要求1至4任一权利要求所述的晶圆刻蚀装置,其特征在于:还包括用于驱动回砂槽(6)进行抖动的筛沙机构,所述筛沙机构与控制单元电信号连接。
10.根据权利要求9所述的晶圆刻蚀装置,其特征在于:所述回砂槽(6)内设置有用于对回收的金刚砂进行过滤处理的过滤装置(63)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造