[实用新型]一种晶圆刻蚀装置

说明书

本实用新型涉及一种晶圆刻蚀装置，包括放置平台，用于放置待加工的晶圆，晶圆上表面上附着有经过光刻处理的光刻胶；喷枪，设置在放置平台的上方；储砂罐，通过输砂管道与喷枪相连接，用于储存金刚砂；气体压缩机，通过输气管道与喷枪相连接，用于向喷枪内输送压缩空气；回砂槽，设置在放置平台的下方且向上开口，所述回砂槽通过回砂管道与储砂罐相连接，用于收集金刚砂并回送至储砂罐内；控制单元，分别与喷枪、气体压缩机电信号连接。该晶圆刻蚀装置在刻蚀中不使用化学品和RF射频源，也能达到所要求的图形化衬底的制备，同时能够减少成本和环境污染。

技术领域

本实用新型涉及半导体材料加工设备技术领域，具体涉及一种晶圆刻蚀装置。

背景技术

图形化衬底包括本体和设置在本体表面上的多个凸起结构，相邻的凸起结构之间的平面呈平坦或山峰状态，相邻的凸起结构之间的间距不限，凸起结构在本体表面上的正投影为圆形或者其他图形，每个凸起结构的高度不限。现有半导体芯片的图形化衬底均采用化学刻蚀的方法获取，使用的化学刻蚀方法有湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀是以液体化学试剂以化学方式去除晶圆片表面暴露的材料，一般常用高温磷酸、硫酸或氢氟酸等湿法化学品，需要使用SiO2层做保护层；整套设备昂贵，使用物料高危险性、废弃物处理昂贵。干法刻蚀是把晶圆表面暴露于特气中产生的等离子体，等离子体通过光刻胶中开出的窗口，与晶圆发生物理或化学反应，从而去掉暴露的表面材料，通常使用氯气、三氯化硼、四氟化碳等气态化学品，使用RF射频辉化反应，设备成本高，使用物料剧毒、废弃处理昂贵。不管哪种刻蚀方法所用的刻蚀材料都是高危险性和高腐蚀性的剧毒化学品，所用设备昂贵，产生的废液、废弃处理代价也高。湿法和干法刻蚀中，保护层材料的刻蚀选择比很重要，选择比指的是同一刻蚀条件下一种材料与另一种刻蚀材料相比刻蚀速率快多少，因此湿法和干法刻蚀中存在各向异性或各向同性造成的侧壁过腐蚀现象，甚至对下层材料的差的刻蚀选择比，等离子体或高腐蚀性的化学品会造成昂贵设备中的器件损伤。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种在刻蚀中不使用化学品和RF射频源，也能达到所要求的图形化衬底的制备，同时能够减少成本和环境污染的晶圆刻蚀装置。

本实用新型解决上述技术问题所采用的技术方案为：一种晶圆刻蚀装置，其特征在于：包括

放置平台，用于放置待加工的晶圆，所述晶圆上表面上附着有经过光刻处理的光刻胶；

喷枪，设置在放置平台的上方；

储砂罐，通过输砂管道与喷枪相连接，用于储存金刚砂；

气体压缩机，通过输气管道与喷枪相连接，用于向喷枪内输送压缩空气；

回砂槽，设置在放置平台的下方且向上开口，所述回砂槽通过回砂管道与储砂罐相连接，用于收集金刚砂并回送至储砂罐内；

控制单元，分别与喷枪、气体压缩机电信号连接。

为了方便刻蚀出晶圆上所需的图形，还包括机架以及设置在机架上的驱动机构，所述驱动机构与控制单元电信号连接；

所述喷枪固定在驱动机构的驱动端，所述放置平台固定设置在机架上。

优选地，所述驱动机构为能在水平方向上进行二维运动的驱动机构。

优选地，所述驱动机构是能沿横向和纵向移动的驱动机构。

为了方便监控和调节输出压缩空气的气压，所述输气管道上设置有与控制单元电信号连接的气压调节阀。

为了方便控制输出金刚砂以及补充金刚砂的流量，所述输砂管道上设置有与控制单元电信号连接的第一流量调节阀，所述回砂管道上设置有与控制单元电信号连接的第二流量调节阀。

为了方便监控金刚砂的干燥度情况，进而达到合适的工作干燥度，所述储砂罐内设置有与控制单元电信号连接的干燥度传感器。