[实用新型]一种硅片的刻蚀装置有效
| 申请号： | 202121293552.8 | 申请日： | 2021-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN214672537U | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 龚雪玲;陈宇 | 申请（专利权）人： | 扬州晶新微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 南京源点知识产权代理有限公司 32545 | 代理人： | 潘云峰 |
| 地址： | 225000*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种硅片的刻蚀装置，包括：片架、驱动组件、容器、加热件，驱动组件与片架连接并用于驱动片架沿竖向往复运动，容器开设有腐蚀槽，腐蚀槽位于片架的正下方，加热件位于容器的一侧或设置于容器中，加热件用于对加入腐蚀槽中的腐蚀液进行加热。通过驱动机构驱动片架带动硅片在腐蚀液中做往复运动，从而提高腐蚀液相对于硅片的流动速度，从而提高腐蚀液的腐蚀效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
