[实用新型]一种硅片的刻蚀装置有效
| 申请号: | 202121293552.8 | 申请日: | 2021-06-09 |
| 公开(公告)号: | CN214672537U | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
| 发明(设计)人: | 龚雪玲;陈宇 | 申请(专利权)人: | 扬州晶新微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 南京源点知识产权代理有限公司 32545 | 代理人: | 潘云峰 |
| 地址: | 225000*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 硅片 刻蚀 装置 | ||
本实用新型公开了一种硅片的刻蚀装置,包括:片架、驱动组件、容器、加热件,驱动组件与片架连接并用于驱动片架沿竖向往复运动,容器开设有腐蚀槽,腐蚀槽位于片架的正下方,加热件位于容器的一侧或设置于容器中,加热件用于对加入腐蚀槽中的腐蚀液进行加热。通过驱动机构驱动片架带动硅片在腐蚀液中做往复运动,从而提高腐蚀液相对于硅片的流动速度,从而提高腐蚀液的腐蚀效果。
技术领域
本实用新型涉及硅片加工领域,特别涉及一种硅片的刻蚀装置。
背景技术
在芯片制造过程中,很多工步都需要对硅片进行刻蚀以获得设计图形。当采用湿法刻蚀时,为保证硅片表面均匀地刻蚀,需要使硅片和腐蚀液体充分接触,硅片不可能悬空在腐蚀液里,总要插在片架上再浸入腐蚀液,由于硅片与片架接触部分的间隙较小,这小部分面积附近的腐蚀液流动受到限制,使化学反应不能充分进行,于是腐蚀作用就不彻底,待腐蚀薄膜会留下残余,影响了产品的外观和性能。
实用新型内容
本申请通过提供一种硅片的刻蚀装置,从而提高硅片的刻蚀效果。
本申请实施例提供了一种硅片的刻蚀装置,包括:
片架;
驱动组件,所述驱动组件与所述片架连接并用于驱动所述片架沿竖向往复运动;
容器,所述容器开设有腐蚀槽,所述腐蚀槽位于所述片架的正下方;
加热件,所述加热件位于所述容器的一侧,所述加热件用于对加入所述腐蚀槽中的腐蚀液进行加热。
在上述技术方案的基础上,本实用新型还可以做如下改进:
进一步地:还包括:支撑件,所述驱动组件安装于所述支撑件上,所述容器设置于所述支撑件的下方。
进一步地:所述驱动组件包括:驱动件、轮体一、杆一、杆二,所述驱动件安装于所述支撑件,所述轮体一与所述驱动件连接,所述杆一的一端铰接于所述轮体一,所述杆一的另一端与所述杆二铰接,所述杆二沿竖向滑动插设于所述支撑件上。
进一步地:驱动组件还包括:导向套,所述导向套连接于所述杆二,所述导向套滑动插设于所述支撑件。本步的有益效果:通过导向套提高机构运动的稳定性。
进一步地:驱动组件还包括皮带、轮体二、支座,所述支座安装于所述支撑件,所述轮体一转动安装于所述支座,所述轮体二安装于所述驱动件,所述皮带绕设于所述轮体二与所述轮体一之间。
进一步地:所述轮体二的直径小于轮体一的直径。本步的有益效果:通过该种结构实现降速转动,从而提高片架运动的平稳性。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果在于:通过驱动机构驱动片架带动硅片在腐蚀液中做往复运动,从而提高腐蚀液相对于硅片的流动速度,从而提高腐蚀液的腐蚀效果。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。在所有附图中,类似的元件或部分一般由类似的附图标记标识。附图中,各元件或部分并不一定按照实际的比例绘制。
图1为本实用新型的结构示意图。
其中,
1片架;
2驱动组件,201驱动件,202轮体一,203杆一,204杆二,205导向套,206皮带,207轮体二,208支座;
3容器,301腐蚀槽;
4加热件,401板块,402加热体;
5支撑件。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州晶新微电子有限公司,未经扬州晶新微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202121293552.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种室内锚杆上拔模型装置
- 下一篇:一种集成电路封装用可调节的固定结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





