[实用新型]半导体制冷充电座有效
| 申请号： | 202121168384.X | 申请日： | 2021-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN215120293U | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 王天然;杜军红;葛振纲 | 申请（专利权）人： | 上海龙旗科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H02J50/10 | 分类号： | H02J50/10;H02J7/00;F25B21/02;H05K7/20 |
| 代理公司： | 上海百一领御专利代理事务所(普通合伙) 31243 | 代理人： | 王奎宇 |
| 地址： | 200233 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种半导体制冷充电座，包括：充电单元，所述充电单元为智能手表充电；半导体制冷片，所述半导体制冷片位于充电座外壳内；散热器，所述散热器接触所述半导体制冷片，所述散热器传导智能手表充电产生的热量；风扇，所述风扇将智能手表充电产生的热量散发至环境中；具有可供手表本体插入并固定的凹槽结构。本实用新型所述半导体制冷充电座，在手表充电过程中，可以降低手表本体温度，实现可持续为手表进行高速充电，保证手表内部元器件及电池的安全温度，并提升了用户佩戴体验。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制冷 充电 | ||
【主权项】：
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