[发明专利]一种梯度结构的晶圆的蚀刻方法在审
| 申请号： | 202111674436.5 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114420553A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 廖世保;徐铭;邓信甫 | 申请（专利权）人： | 至微半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 200241 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种梯度结构的晶圆的蚀刻方法，涉及到半导体技术领域，包括：S1、控制晶圆旋转，通过第一喷头将酸蚀刻液喷在晶圆的上表面，并驱动第一喷头呈弧形往复摆动，同时向晶圆的上表面中心位置以及边缘区域喷射热气流；S2、通过第二喷头将酸蚀刻液喷在水平台阶面，并控制第二喷头沿晶圆的边缘方向往复摆动；S3、通过第三喷头将酸蚀刻液倾斜喷射在竖直台阶面上。本发明中，在晶圆进行蚀刻时向晶圆的表面以及边缘位置通入热气流，实现加温动作，且通过第一喷头、第二喷头的摆动以及第三喷头的倾斜角度，能够使得酸蚀刻液充分的覆盖在晶圆的表面以及台阶面上，能够提高蚀刻效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 梯度 结构 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
