[发明专利]存储器的形成方法及存储器在审
| 申请号： | 202111672754.8 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114530419A | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 丁潇 | 申请（专利权）人： | 芯盟科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王军红;张颖玲 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种存储器的形成方法及存储器，存储器的形成方法包括提供基底，基底表面形成有晶体管柱阵列；形成覆盖晶体管柱阵列的堆叠结构，堆叠结构包括沿远离基底方向依次层叠的第一牺牲层和第一支撑层；形成贯穿堆叠结构的电容孔阵列，电容孔阵列中的多个电容孔与多个晶体管柱一一对应设置，且电容孔暴露晶体管柱；在电容孔的内壁依次形成第一电极层和填充层；形成贯穿第一支撑层的第一间隙孔阵列，第一间隙孔阵列包括呈阵列排布的多个第一间隙孔，且每个第一间隙孔位于彼此相邻的四个第一电极层之间；通过第一间隙孔阵列去除第一牺牲层，暴露第一电极层；依次形成覆盖第一电极层的介质层和第二电极层，以形成电容器阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
