[发明专利]存储器的形成方法及存储器

说明书

本申请实施例公开了一种存储器的形成方法及存储器，存储器的形成方法包括提供基底，基底表面形成有晶体管柱阵列；形成覆盖晶体管柱阵列的堆叠结构，堆叠结构包括沿远离基底方向依次层叠的第一牺牲层和第一支撑层；形成贯穿堆叠结构的电容孔阵列，电容孔阵列中的多个电容孔与多个晶体管柱一一对应设置，且电容孔暴露晶体管柱；在电容孔的内壁依次形成第一电极层和填充层；形成贯穿第一支撑层的第一间隙孔阵列，第一间隙孔阵列包括呈阵列排布的多个第一间隙孔，且每个第一间隙孔位于彼此相邻的四个第一电极层之间；通过第一间隙孔阵列去除第一牺牲层，暴露第一电极层；依次形成覆盖第一电极层的介质层和第二电极层，以形成电容器阵列。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体地，涉及一种存储器的形成方法及存储器。

背景技术

动态随机存储器(dynamic random access memory，DRAM)具有读写速度快、低功耗、大容量、价格便宜等特性，成为计算机和通讯系统中使用最为广泛的半导体存储器。DRAM的存储阵列架构是由包括一个晶体管和一个电容器的存储单元(即1T1C的存储单元)组成的阵列。晶体管的栅极与字线相连，漏极与位线相连，源极与电容器相连。

随着DRAM器件的尺寸不断缩小，电容器的尺寸也随之缩小。如何保证DRAM器件中电容器的性能，成为亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提出一种存储器的形成方法及存储器。

根据本申请的一个方面，提供了一种存储器的形成方法，包括：

提供基底；其中，所述基底表面形成有晶体管柱阵列，所述晶体管柱阵列包括沿垂直于所述基底表面方向呈阵列排布的多个晶体管柱；

形成覆盖所述晶体管柱阵列的堆叠结构；其中，所述堆叠结构包括沿远离所述基底方向依次层叠的第一牺牲层和第一支撑层；

形成贯穿所述堆叠结构的电容孔阵列；其中，所述电容孔阵列包括呈阵列排布的多个电容孔，多个所述电容孔与多个所述晶体管柱一一对应设置，且所述电容孔暴露所述晶体管柱；

在所述电容孔的内壁依次形成第一电极层和填充层；其中，所述第一电极层电连接所述晶体管柱；

形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列；其中，所述第一间隙孔阵列包括呈阵列排布的多个第一间隙孔，且每个所述第一间隙孔位于彼此相邻的四个所述第一电极层之间；

通过所述第一间隙孔阵列去除所述第一牺牲层，暴露所述第一电极层；

依次形成覆盖所述第一电极层的介质层和第二电极层，以形成电容器阵列。

在一些实施例中，所述电容孔阵列包括第一预设数量的电容孔；

所述形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列；其中，所述第一间隙孔阵列包括呈阵列排布的多个第一间隙孔，包括：

形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列，所述第一间隙孔阵列包括呈阵列排布的第二预设数量的第一间隙孔；其中，所述第二预设数量和所述第一预设数量的比值在25％至50％之间。

在一些实施例中，所述形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列；所述第一间隙孔阵列包括呈阵列排布的多个第一间隙孔，包括：

形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列；其中，所述第一间隙孔阵列包括等间距的多个第一间隙孔行和等间距的多个第一间隙孔列，所述第一间隙孔行和所述第一间隙孔列相互垂直。

在一些实施例中，所述形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列；所述第一间隙孔阵列包括呈阵列排布的多个第一间隙孔，包括：