[发明专利]存储器的形成方法及存储器

权利要求书

1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；其中，所述基底表面形成有晶体管柱阵列，所述晶体管柱阵列包括沿垂直于所述基底表面方向呈阵列排布的多个晶体管柱；

形成覆盖所述晶体管柱阵列的堆叠结构；其中，所述堆叠结构包括沿远离所述基底方向依次层叠的第一牺牲层和第一支撑层；

形成贯穿所述堆叠结构的电容孔阵列；其中，所述电容孔阵列包括呈阵列排布的多个电容孔，多个所述电容孔与多个所述晶体管柱一一对应设置，且所述电容孔暴露所述晶体管柱；

在所述电容孔的内壁依次形成第一电极层和填充层；其中，所述第一电极层电连接所述晶体管柱；

形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列；其中，所述第一间隙孔阵列包括呈阵列排布的多个第一间隙孔，且每个所述第一间隙孔位于彼此相邻的四个所述第一电极层之间；

通过所述第一间隙孔阵列去除所述第一牺牲层，暴露所述第一电极层；

依次形成覆盖所述第一电极层的介质层和第二电极层，以形成电容器阵列。

2.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述电容孔阵列包括第一预设数量的电容孔；

所述形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列；其中，所述第一间隙孔阵列包括呈阵列排布的多个第一间隙孔，包括：

形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列，所述第一间隙孔阵列包括呈阵列排布的第二预设数量的第一间隙孔；其中，所述第二预设数量和所述第一预设数量的比值在25％至50％之间。

3.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列；所述第一间隙孔阵列包括呈阵列排布的多个第一间隙孔，包括：

形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列；其中，所述第一间隙孔阵列包括等间距的多个第一间隙孔行和等间距的多个第一间隙孔列，所述第一间隙孔行和所述第一间隙孔列相互垂直。

4.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列；所述第一间隙孔阵列包括呈阵列排布的多个第一间隙孔，包括：

形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列；其中，所述间隙孔阵列包括等间距的多个第一间隙孔行和等间距的多个第一间隙孔列，所述第一间隙孔行和所述第一间隙孔列呈第一预设夹角设置，所述第一预设夹角小于90°。

5.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列；所述第一间隙孔阵列包括呈阵列排布的多个第一间隙孔，包括：

形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列；所述第一间隙孔阵列包括等间距的多个组合孔行和等间距的多个组合孔列，所述组合孔行和所述组合孔列分别包括多个组合孔，每一所述组合孔包括相互连通的多个所述第一间隙孔。

6.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列；所述第一间隙孔阵列包括呈阵列排布的多个第一间隙孔，包括：

形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列；所述第一间隙孔阵列包括等间距的多个组合单元行和等间距的多个组合单元列，所述组合单元行和所述组合单元列分别包括多个组合单元，每一所述组合单元包括呈第二预设夹角设置的第一组合孔和第二组合孔，所述第一组合孔和所述第二组合孔分别包括相互连通的多个所述第一间隙孔，且所述第一组合孔和所述第二组合孔互不连通。