[发明专利]加热装置及材料热处理方法在审
| 申请号： | 202111672342.4 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114203601A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 陈汉阳;杨蓉;许智;张广宇 | 申请（专利权）人： | 松山湖材料实验室 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/324;B29C71/02 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 王丽莎 |
| 地址： | 523808 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种加热装置及材料热处理方法，属于热处理设备领域。加热装置含加热台主体和盖板组件。加热台主体含安装座和导热块。安装座内有加热台空腔，顶部有与加热台空腔连通的通气通道，外有第一、二加热台接头。导热块安装于安装座，其顶部位于安装座顶部。导热块内设贯穿导热块顶部的第一通道，第一通道另一端与第一加热台接头之间设连接管道。盖板组件盖设于安装座的顶部时和安装座的顶部之间具有第一盖板空腔，通气通道及第一通道均与第一盖板空腔连通；盖板组件外有连通第一盖板空腔的第一盖板接头。材料热处理方法采用加热装置进行加热和退火处理，能降低样品完成转移后且退火处理前接触空气毁坏的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 加热 装置 材料 热处理 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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