[发明专利]一种铌掺杂二维硫化钨晶体材料的制备方法在审
| 申请号： | 202111641662.3 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114540956A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 陈飞;夏媛;吕秋燃;苏伟涛 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B25/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种铌掺杂二维硫化钨晶体材料的制备方法，采用化学气相沉积法，以Si/SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 掺杂 二维 硫化 晶体 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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