[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111636286.9 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN116419661A | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 赵苗苗;王慧琴;张伟 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H10N97/00 | 分类号： | H10N97/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 康欢欢 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：衬底；位于所述衬底一侧的介质层；位于所述介质层远离所述衬底一侧的第一电极层，所述第一电极层包括第一电极分部、第二电极分部以及位于所述第一电极分部和所述第二电极分部之间的第一开口；覆盖所述第一开口并分别与所述第一电极分部和所述第二电极分部接触连接的薄膜电阻层；位于所述第一电极层远离所述衬底一侧的第二电极层；所述第二电极层与所述第一电极层接触。本发明实施例提供的半导体器件及其制备方法，可节约生产成本，工艺重复性好，且器件的稳定性更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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