[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底一侧的介质层；

位于所述介质层远离所述衬底一侧的第一电极层，所述第一电极层包括第一电极分部、第二电极分部以及位于所述第一电极分部和所述第二电极分部之间的第一开口；

覆盖所述第一开口并分别与所述第一电极分部和所述第二电极分部接触连接的薄膜电阻层；

位于所述第一电极层远离所述衬底一侧的第二电极层；所述第二电极层与所述第一电极层接触。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述薄膜电阻层包括相互连接的第一薄膜电阻分部和第二薄膜电阻分部；所述第一薄膜电阻分部位于所述第一开口内，所述第二薄膜电阻分部位于所述第一电极层远离所述衬底的一侧。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二电极层包括第三电极分部、第四电极分部以及位于所述第三电极分部和所述第四电极分部之间的第二开口；

所述第三电极分部位于所述第一电极分部远离所述衬底的一侧且分别与所述第一电极分部和所述薄膜电阻层接触连接；

所述第四电极分部位于所述第二电极分部远离所述衬底的一侧且分别与所述第二电极分部和所述薄膜电阻层接触连接。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述薄膜电阻层的厚度大于所述第一电极层的厚度。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二薄膜电阻分部的长度为L1，其中，L1≥3μm。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电极层的厚度为h2，所述第二电极层的厚度为h3，其中，h3≥2*h2。

7.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第二开口在所述衬底所在平面上的垂直投影覆盖所述第一开口在所述衬底所在平面上的垂直投影。

8.根据权利要求1-7任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括多层外延层，多层所述外延层位于所述衬底和所述介质层之间。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述外延层包括靠近所述介质层一侧的阻隔扩散层，所述阻隔扩散层为n型掺杂层或非掺杂层。

10.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底的一侧制备介质层；

在所述介质层远离所述衬底的一侧制备第一电极层；所述第一电极层包括第一电极分部、第二电极分部以及位于所述第一电极分部和所述第二电极分部之间的第一开口；

在所述介质层远离所述衬底的一侧制备薄膜电阻层；所述薄膜电阻层覆盖所述第一开口且分别与所述第一电极分部和所述第二电极分部接触连接；

在所述第一电极层远离所述衬底的一侧制备第二电极层；所述第二电极层与所述第一电极层接触。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述薄膜电阻层包括相互连接的第一薄膜电阻分部和第二薄膜电阻分部；

所述在所述介质层远离所述衬底的一侧制备薄膜电阻层，包括：

在所述第一开口内制备第一薄膜电阻分部，同时在所述第一电极层远离所述衬底的一侧制备第二薄膜电阻分部。

12.根据权利要求11所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二电极层包括第三电极分部、第四电极分部以及位于所述第三电极分部和所述第四电极分部之间的第二开口；

所述在所述第一电极层远离所述衬底的一侧制备第二电极层，包括：

在所述第一电极分部远离所述衬底的一侧制备第三电极分部，同时在所述第二电极分部远离所述衬底的一侧制备第四电极分部；所述第三电极分部分别与所述第一电极分部和所述薄膜电阻层接触连接；所述第四电极分部分别与所述第二电极分部和所述薄膜电阻层接触连接。

13.根据权利要求11所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述在所述介质层远离所述衬底的一侧制备薄膜电阻层，包括：

真空环境中在所述介质层远离所述衬底的一侧制备薄膜电阻层。