[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

说明书

本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：衬底；位于所述衬底一侧的介质层；位于所述介质层远离所述衬底一侧的第一电极层，所述第一电极层包括第一电极分部、第二电极分部以及位于所述第一电极分部和所述第二电极分部之间的第一开口；覆盖所述第一开口并分别与所述第一电极分部和所述第二电极分部接触连接的薄膜电阻层；位于所述第一电极层远离所述衬底一侧的第二电极层；所述第二电极层与所述第一电极层接触。本发明实施例提供的半导体器件及其制备方法，可节约生产成本，工艺重复性好，且器件的稳定性更高。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法。

背景技术

随着近年来，为了满足小型化、便携化以及高频段的应用需求，射频集成电路被越来越多的人重视，其中单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit，简称MMIC)，以其低噪声、低损耗、宽频带及大的动态范围等优点被广泛应用，并逐渐成为军用民用中高科技领域的重要支撑力量。电阻在MMIC放大器中主要用于电路的匹配、功分器的端口隔离、偏置、以及稳定电路中。

在MMIC芯片制程中，薄膜电阻一般采用反应溅射制备，从薄膜电阻溅射完成到电阻器件电极制备，中间包含刻蚀、湿法的多步工艺，在该过程中薄膜电阻的表面容易被氧化，形成一层致密的氧化层，导致电极与薄膜电阻间的接触电阻增大，薄膜电阻器件的电阻与设计值存在偏差；当氧化层较厚时，电信号无法通过薄膜电阻器件，出现器件增益下降或过热损坏的问题，最终导致芯片无法正常使用。

为解决薄膜电阻器件因电极与薄膜电阻间的接触电阻过大导致器件性能差的问题，业界目前采用较多的方法是采用刻蚀(或腐蚀)与蒸发一体的机台制备薄膜电阻电极，蒸发之前先采用等离子体刻蚀或HF溶液腐蚀工艺去除薄膜电阻表面的氧化层，完成该工艺后，通过传输手臂将晶圆送至蒸发腔体进行电极金属制备，整个过程在真空环境下进行，避免再次氧化。但刻蚀与蒸发一体机需要根据工艺需求对刻蚀及蒸发设备进行设计和改装，经费投入巨大，且采用该方法制备薄膜电阻器件，对光刻胶及剥离胶性能要求较高，需保证在刻蚀或湿法腐蚀过程中光刻胶和剥离胶不会变性，导致蒸发后去胶不净问题。寻找到一种既节约成本，又能保证器件性能的薄膜电阻器件制造方法是目前急需解决的问题

发明内容

本发明实施例提供一种半导体器件及其制备方法，以解决薄膜电阻器件因电极与薄膜电阻间氧化层存在导致接触电阻过大进而影响器件性能的问题，提供一种节约成本且器件性能良好的半导体器件。

本发明实施例提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：

衬底；

位于所述衬底一侧的介质层；

位于所述介质层远离所述衬底一侧的第一电极层，所述第一电极层包括第一电极分部、第二电极分部以及位于所述第一电极分部和所述第二电极分部之间的第一开口；

覆盖所述第一开口并分别与所述第一电极分部和所述第二电极分部接触连接的薄膜电阻层；

位于所述第一电极层远离所述衬底一侧的第二电极层；所述第二电极层与所述第一电极层接触。

可选地，所述薄膜电阻层包括相互连接的第一薄膜电阻分部和第二薄膜电阻分部；所述第一薄膜电阻分部位于所述第一开口内，所述第二薄膜电阻分部位于所述第一电极层远离所述衬底的一侧。

可选地，所述半导体器件还包括第二电极层，所述第三电极分部位于所述第一电极分部远离所述衬底的一侧且分别与所述第一电极分部和所述薄膜电阻层接触连接；

所述第四电极分部位于所述第二电极分部远离所述衬底的一侧且分别与所述第二电极分部和所述薄膜电阻层接触连接。

可选地，所述薄膜电阻层的厚度大于所述第一电极层的厚度。