[发明专利]一种发光二极管、发光装置及发光二极管的制备方法在审
| 申请号： | 202111627446.3 | 申请日： | 2021-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN114388669A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 王瑜;师修磊;钱承红;周宏敏;唐超;董金矿;马明彬;李遥;赵豆豆;李政鸿;林兓兓 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市中国*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管、发光装置及发光二极管的制备方法，所述发光二极管包括图形化衬底、覆盖于图形化衬底的缓冲层及发光结构，其中，图形化衬底包括衬底以及形成在衬底表面的若干个间隔设置的图形结构；图形结构包括形成于衬底的表面的第一部分以及形成在第一部分上方的第二部分，第一部分与第二部分的材料不同；缓冲层包括第一子缓冲层和第二子缓冲层，第一子缓冲层覆盖于图形结构的第一部分的表面及间隔设置的图形结构之间；第二子缓冲层覆盖于图形结构的第二部分的表面，第一子缓冲层的厚度大于第二子缓冲层的厚度。本发明能够提高外延磊晶面积，同时减小外延层内的晶格缺陷，提高LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 发光 装置 制备 方法 | ||
【主权项】：
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