[发明专利]一种发光二极管、发光装置及发光二极管的制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管，包括依次层叠的图形化衬底、缓冲层和发光结构，其特征在于，

所述图形化衬底，包括衬底以及形成在衬底表面的若干个间隔设置的图形结构；所述图形结构包括形成于所述衬底的表面的第一部分以及形成在所述第一部分上方的第二部分，所述第一部分的材料与所述第二部分的材料不同；

所述缓冲层，覆盖于所述图形化衬底的表面，所述缓冲层包括第一子缓冲层和第二子缓冲层，所述第一子缓冲层覆盖于所述图形结构的第一部分的表面及间隔设置的图形结构之间；所述第二子缓冲层覆盖于所述图形结构的第二部分的表面，所述第一子缓冲层的厚度大于所述第二子缓冲层的厚度。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一子缓冲层的厚度介于

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二子缓冲层的厚度介于

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一子缓冲层或所述第二子缓冲层的材料包括AlN、AlGaN或AlInGaN中的一种。

5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第一子缓冲层或所述第二子缓冲层中的Al组分的含量大于5％。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述图形结构形成为直径自所述图形结构的底部向顶部逐渐递减的锥形结构。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，在垂直于所述衬底的表面的方向上，所述图形结构的高度h介于1.4μm～2.4μm。

8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，相邻所述图形结构的中心之间的距离d介于2.2μm～3.5μm。

9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二部分的材料的折射率小于所述第一部分的材料的折射率。

10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述图形结构的第一部分的材料与所述衬底的材料相同。

11.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述图形结构的第一部分的材料与所述衬底的材料不同，所述第一部分的材料的折射率小于所述衬底的材料的折射率。

12.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述衬底的材料包括蓝宝石、Si、GaN或ZnO中的一种。

13.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二部分的材料包括SiO₂、Si₃N₄、ZnO₂、Si、SiC、GaAs、Ti₃O₅、TiO₂中的一种或多种。

14.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述衬底与所述第一部分的材料为蓝宝石，所述第二部分的材料为二氧化硅。

15.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一部分的侧壁具有第一倾斜度，所述第二部分的侧壁具有第二倾斜度，所述第一倾斜度与第二倾斜度的取值相同或不同。

16.一种发光二极管，包括依次层叠的图形化衬底、缓冲层和发光结构，其特征在于，

所述图形化衬底，包括衬底以及形成在衬底表面的若干个间隔设置的图形结构；

所述缓冲层，覆盖于所述图形化衬底的表面，所述缓冲层包括第一子缓冲层和第二子缓冲层，所述第一子缓冲层覆盖于所述衬底的表面，所述第二子缓冲层覆盖于所述图形结构的表面，所述第一子缓冲层的厚度大于所述第二子缓冲层的厚度。