[发明专利]边缘电容器、集成电路和用于边缘电容器的制造工艺在审
| 申请号： | 202111625738.3 | 申请日： | 2021-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN114765164A | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | N·特珀尔内尼;M·P·考夫曼;M·吕德斯;J·约翰 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请题为“边缘电容器、集成电路和用于边缘电容器的制造工艺”。本发明提供了电容器(C)，该电容器具有由金属层制成的第一结构(E1)和由相同金属层制成的第二结构(E2)以及在第一(E1)和第二(E2)金属结构之间的介电层(PO/SiN)，其中介电层(PO/SiN)具有大于4、特别是大于6的相对介电常数。还提供了包括这样的电容器和可选的其他部件的单片集成电路。还提供了制造这种电容器的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 边缘 电容器 集成电路 用于 制造 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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