[发明专利]单晶体的制备方法和硅晶体有效
| 申请号： | 202111619092.8 | 申请日： | 2021-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN114481302B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 王双丽;陈俊宏 | 申请（专利权）人： | 中环领先（徐州）半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 黄德海 |
| 地址： | 221004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种单晶体的制备方法和硅晶体。其制备方法包括：在等径生长阶段，根据方程G |
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| 搜索关键词： | 单晶体 制备 方法 晶体 | ||
【主权项】：
暂无信息
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