[发明专利]单晶体的制备方法和硅晶体

权利要求书

1.一种单晶体的制备方法，其特征在于，包括：

在等径生长阶段，根据方程G_h＝a*h²+b*h+G₀得到G_h，其中，a和b为常数，G₀为固液界面处温度梯度，取值为35～55K/cm，h为相对于固液界面高度，取值为-10～0mm，G_h为距离固液界面高度h处边界层的轴向温度梯度，单位为K/cm；

在等径生长阶段，根据方程G_H＝k*H+G₀得到G_H，其中，K为常数，G₀为固液界面处温度梯度，取值为35～55K/cm，H为相对于固液界面高度，取值为0～10mm，G_H为距离固液界面H的区域处轴向温度梯度，单位为K/cm；

在固液界面至第一参考面的区域内调整温度梯度至G_h，其中，所述第一参考面为固液界面下方10mm的界面；

在固液界面至第二参考面的区域内调整温度梯度至G_H，其中，所述第二参考面为固液界面上方10mm的界面。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等径生长阶段的初期，取a＝a₁，b＝b₁计算得到G_h1，取k＝k₁计算得到G_H1，根据G_h1和G_H1调节晶棒的提拉速度为v₁、液口距为d₁，其中，所述a₁、所述b₁、所述k₁、所述v₁和所述d₁满足：0.03≤a₁≤0.05，-0.3≤b₁≤-0.1，-0.12≤k₁≤-0.1，0.4≤v₁≤0.8mm/min，50≤d₁≤52mm；

所述等径生长阶段的中期，取a＝a₂，b＝b₂计算得到G_h2，取k＝k₂计算得到G_H2，根据G_h2和G_H2调节晶棒的提拉速度为v₂、液口距为d₂，其中，所述a₂、所述b₂、所述k₂、所述v₂和所述d₂满足：0.01≤a₂≤0.03，-0.2≤b₂≤-0.1，-0.25≤k₂≤-0.23，0.4≤v₂≤0.6mm/min，52≤d₂≤53mm；

所述等径生长阶段的后期，取a＝a₃，b＝b₃计算得到G_h3，取k＝k₃计算得到G_H3，根据G_h3和G_H3调节晶棒的提拉速度为v₃、液口距为d₃，其中，所述a₃、所述b₃、所述k₃、所述v₃和所述d₃满足：0.01≤a₃≤0.03，-0.2≤b₃≤-0.1，-0.16≤k₃≤0.14，0.6≤v₃≤0.8mm/min，54≤d₃≤55mm。