[发明专利]一种超低温静电吸盘在审
| 申请号： | 202111596818.0 | 申请日： | 2021-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN114141686A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 刘金涛;康劲;王振辉;雷晓刚;卢合强;王辉;夏世伟;高国珺;沈斌;贾礼宾;张劲;关天祺;肖嘉星 | 申请（专利权）人： | 北京凯世通半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种超低温静电吸盘，所述超低温静电吸盘用于超低温离子注入平台，所述超低温静电吸盘包括静电吸盘主体，静电吸盘主体为圆盘状或板状，超低温静电吸盘至少为四层以上结构。超低温静电吸盘的多层结构，提升了静电吸盘的柔性，使其能够使用于超低温晶圆注入工艺；超低温静电吸盘中的印刷电极柔性层采用聚酰亚胺薄膜的介电质膜，其低温工作性能能够适应直至零下160度的工作温度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超低温 静电 吸盘 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
