[发明专利]一种超低温静电吸盘在审
申请号: | 202111596818.0 | 申请日: | 2021-12-24 |
公开(公告)号: | CN114141686A | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | 刘金涛;康劲;王振辉;雷晓刚;卢合强;王辉;夏世伟;高国珺;沈斌;贾礼宾;张劲;关天祺;肖嘉星 | 申请(专利权)人: | 北京凯世通半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
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地址: | 100176 北京市大兴区北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超低温 静电 吸盘 | ||
1.一种超低温静电吸盘,其特征在于,其用于超低温离子注入平台,所述超低温静电吸盘包括静电吸盘主体(311),静电吸盘主体(311)为圆盘状或板状,超低温静电吸盘至少为四层以上结构。
2.根据权利要求1所述的超低温静电吸盘,其特征在于,四层以上结构至少包括自下而上排列的静电吸盘主体(311)、第一印刷电极柔性层(312)、电极排列(313)或粘接填充层(314)、第二印刷电极柔性层(315)。
3.根据权利要求2所述的超低温静电吸盘,其特征在于,第一印刷电极柔性层(312)上表面紧贴电极排列(313),或电极排列(313)紧贴在第二印刷电极柔性层(315)下表面。
4.根据权利要求2所述的超低温静电吸盘,其特征在于,电极排列(313)印制在第一印刷电极柔性层(312)上表面,或电极排列(313)印制在第二印刷电极柔性层(315)下表面。
5.根据权利要求1所述的超低温静电吸盘,其特征在于,第一印刷电极柔性层(312)为介电质膜,第二印刷电极柔性层(315)为介电质膜。
6.根据权利要求2所述的超低温静电吸盘,其特征在于,介电质膜为聚酰亚胺薄膜,聚酰亚胺薄膜膜厚为15微米至100微米中之任一厚度。
7.根据权利要求2所述的超低温静电吸盘,其特征在于,静电吸盘主体(311)通过胶层与第一印刷电极柔性层(312)粘接固定。
8.根据权利要求2所述的超低温静电吸盘,其特征在于,第一印刷电极柔性层(312)上远离静电吸盘主体(311)的一面上设置有至少2组电极排列(313)
9.根据权利要求2所述的超低温静电吸盘,其特征在于,静电吸盘主体(311)下部设置有真空冷却平台(31),真空冷却平台(31)柔性接触静电吸盘主体(311),真空冷却平台(31)用于将待处理的晶圆进行降温,确保待处理的晶圆处于一个低温状态。
10.根据权利要求9所述的超低温静电吸盘,其特征在于,将铟薄片或将退火之后的铝薄片充填在真空冷却平台(31)和静电吸盘主体(311)之间,实现真空冷却平台(31)柔性接触静电吸盘主体(311)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造