[发明专利]一种太阳能电池的制造方法在审
| 申请号： | 202111592353.1 | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN116387395A | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 万王超;贾光亮;陈德超;仲春华;王建波;吕俊 | 申请（专利权）人： | 西安隆基乐叶光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/306;H01L21/308;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市国家民用*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种太阳能电池的制造方法，涉及太阳能电池技术领域，以解决采用酸液去除绕镀掺杂硅层时损伤电池的扩散层的问题。所述太阳能电池的制造方法提供待刻蚀硅片，硅片的第一表面上具有硼硅玻璃层；在硼硅玻璃层上至少部分覆盖有掺杂硅层，和/或，在硅片侧面上至少部分覆盖有掺杂硅层；利用至少包含硝酸和氢氟酸的混酸溶液，对硅片的第一表面和/或侧面进行酸刻蚀处理，以去除掺杂硅层且保留硼硅玻璃层，混酸溶液中氢氟酸和硝酸的体积比为1：(10～33)，其中，氢氟酸的质量浓度为48％～50％，硝酸的质量浓度为64％～66％，并且，所述硝酸的体积占混酸溶液的总体积之比不小于80％。本发明提供的太阳能电池的制造方法用于制作太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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