[发明专利]一种太阳能电池的制造方法

说明书

本发明公开一种太阳能电池的制造方法，涉及太阳能电池技术领域，以解决采用酸液去除绕镀掺杂硅层时损伤电池的扩散层的问题。所述太阳能电池的制造方法提供待刻蚀硅片，硅片的第一表面上具有硼硅玻璃层；在硼硅玻璃层上至少部分覆盖有掺杂硅层，和/或，在硅片侧面上至少部分覆盖有掺杂硅层；利用至少包含硝酸和氢氟酸的混酸溶液，对硅片的第一表面和/或侧面进行酸刻蚀处理，以去除掺杂硅层且保留硼硅玻璃层，混酸溶液中氢氟酸和硝酸的体积比为1：(10～33)，其中，氢氟酸的质量浓度为48％～50％，硝酸的质量浓度为64％～66％，并且，所述硝酸的体积占混酸溶液的总体积之比不小于80％。本发明提供的太阳能电池的制造方法用于制作太阳能电池。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池的制造方法。

背景技术

在实际制造隧穿氧化钝化接触(TOPCon)电池的过程中，需要对硅片的正面进行硼扩散处理，以在硅片的正面上形成依次层叠的扩散层和硼硅玻璃层(BSG，Boron SilicaGlass)；接着在硅片的背面上形成氧化隧穿层及掺杂硅(Poly-Si)层，而在硅片的背面生长掺杂硅层时，会导致硅片的正面和侧面边缘形成绕镀掺杂硅层，为防止绕镀掺杂硅层影响电池正面太阳光吸收以及造成漏电等危害，通常需要对绕镀掺杂硅层进行去除处理。

目前去除绕镀掺杂硅层常用的方法是利用正面的硼硅玻璃层作为正面的掩膜，然后再通过酸液对侧面和/或正面的绕镀掺杂硅层进行蚀刻去除，然而，正面的硼硅玻璃层也会被该酸液同时刻蚀，如此会造成对正面的扩散层损伤。

发明内容

本发明的目的在于提供一种太阳能电池的制造方法，用于防止采用酸液去除绕镀掺杂硅层时损伤电池的扩散层。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种太阳能电池的制造方法，提供待刻蚀硅片，硅片的第一表面上具有硼硅玻璃层；在硼硅玻璃层上至少部分覆盖有掺杂硅层，和/或，在硅片侧面上至少部分覆盖有掺杂硅层；利用至少包含硝酸和氢氟酸的混酸溶液，对硅片的第一表面和/或侧面进行酸刻蚀处理，以去除掺杂硅层且保留硼硅玻璃层，混酸溶液中氢氟酸和硝酸的体积比为1：(10～33)，其中，氢氟酸的质量浓度为48％～50％，硝酸的质量浓度为64％～66％，并且，所述硝酸的体积占混酸溶液的总体积之比不小于80％。

与现有技术相比，本发明提供的太阳能电池的制造方法中，当混酸溶液中氢氟酸和硝酸的体积比为1：(10～33)、氢氟酸的质量浓度为48％～50％、硝酸的质量浓度为64％～66％，且硝酸的体积占混酸溶液的总体积之比不小于80％时，硼硅玻璃层在混酸溶液中的反应速率较低，掺杂硅层在混酸溶液中的反应速率较高，此时利用混酸溶液对硅片的侧面和第一表面进行酸刻蚀处理，可以去除硅片的侧面和第一表面上的掺杂硅层且避免去除掺杂硅层时混酸溶液对硼硅玻璃层的腐蚀，从而可以利用硼硅玻璃层作为掩膜对硅片进行保护，防止去除掺杂硅层时混酸溶液侵蚀硅片而损伤电池的扩散层，使得采用上述方法制造太阳能电池时，可以保证太阳能电池具有良好的性能，同时通过单面制作硅片的掺杂硅层，可以使硅片在生产过程中，能够采用背靠背插入石英舟中的方式进行生产，从而提高太阳能电池的生产效率，降低太阳能电池的生产成本。

可选的，在上述太阳能电池的制造方法中，进行酸刻蚀处理之后，还包括对经过酸刻蚀处理后的硅片进行碱洗处理，以去除硅片上的硝酸和氢氟酸。如此设置，通过碱洗处理能够快速中和硅片上的硝酸和氢氟酸，防止混酸溶液侵蚀硼硅玻璃层。

可选的，在上述太阳能电池的制造方法中，进行碱洗处理，具体包括提供链式清洗设备；将经过酸刻蚀处理后的硅片的第一表面与链式清洗设备所包括的传送辊接触；基于传送辊将经过酸刻蚀处理后的硅片传送至链式清洗设备所包括的碱洗槽中，利用碱洗槽内的碱性清洗溶液去除硅片上的硝酸和氢氟酸，其中，硅片完全漂浮在碱洗槽内的碱性清洗溶液中。如此设置，便于利用链式清洗设备和碱性清洗溶液快速去除硅片上的硝酸和氢氟酸。