[发明专利]半导体激光器阵列巴条制作方法及半导体激光器阵列巴条在审
| 申请号： | 202111582518.7 | 申请日： | 2021-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN114400496A | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 赵永超;王琛琛;李青民;侯海峰;徐斌 | 申请（专利权）人： | 西安立芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/40 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 郑丽红 |
| 地址： | 710077 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体激光器阵列巴条制作方法及半导体激光器阵列巴条，主要解决现有激光器阵列巴条存在光束质量较差以及容易烧毁的问题。该方法在外延晶体表面层进行刻蚀，形成表面脊条结构，脊条宽度控制在1‑5微米，两脊之间间距大于5微米，以上设置不仅提高了阵列巴条的功率，而且使其光束质量远超宽条单管器件的光束质量，同时本发明方法在巴条边缘形成多次台阶，并覆盖绝缘层氧化膜层，此台阶及绝缘介质层避免了焊料溢出引发的微短路而导致器件烧毁的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
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