[发明专利]半导体激光器阵列巴条制作方法及半导体激光器阵列巴条

权利要求书

1.一种半导体激光器阵列巴条制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、在N型衬底层表面使用MOCVD生长外延晶体材料，形成外延晶体层；

步骤二、在外延晶体层表面按照阵列巴条进行光刻刻蚀，形成多个依次排列的发光脊条，发光脊条的宽度为1～5um，相邻发光脊条之间的间距大于5um，刻蚀深度至N型衬底层的上表面；

步骤三、对N型衬底层边缘多次刻蚀形成多个台阶，各台阶深度为3～5um，宽度为50～100um，随后，在发光脊条表面、N型衬底层的上表面生长绝缘层氧化物，形成绝缘介质层；生长绝缘层氧化物时，在发光脊条的正上方开设电流注入窗口，电流注入窗口的宽度为2-5um；

步骤四、在发光脊条表面、N型衬底层的上表面制作导电金属层，随后将台阶区域的导电金属层去除；

步骤五、对N型衬底层的下表面进行厚度减薄，随后在N型衬底层的下表面制作导电金属层；

步骤六、解理巴条制作腔面膜层，阵列巴条制作完成，将制作的阵列巴条设置在热沉上方进行封装，且热沉上表面设置有焊料层。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器阵列巴条制作方法，其特征在于：步骤二中，多个发光脊条之间的间距设置为相等或不相等。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器阵列巴条制作方法，其特征在于：步骤二中，发光脊条包括由下至上依次设置的N型限制层、量子阱波导层和P型限制层。

4.根据权利要求1所述的半导体激光器阵列巴条制作方法，其特征在于：步骤三中，对N型衬底层边缘进行多次湿法腐蚀或者干法刻蚀，从而形成多个台阶。

5.根据权利要求1所述的半导体激光器阵列巴条制作方法，其特征在于：步骤二中，在外延晶体层表面按照阵列巴条进行湿法腐蚀或者干法刻蚀，从而形成多个发光脊条。

6.一种半导体激光器阵列巴条，其特征在于：包括N型衬底层(3)以及设置在N型衬底层(3)上表面的多个发光脊条(8)，所述发光脊条(8)的宽度为1～5um，相邻发光脊条(8)之间的间距大于5um；

所述N型衬底层(3)的上表面边缘设置有多个台阶(2)，各台阶(2)深度为3～5um，宽度为50～100um；

所述发光脊条(8)表面、N型衬底层(3)的上表面设置有绝缘介质层(9)，且发光脊条(8)的正上方开设电流注入窗口(5)，电流注入窗口的宽度为2-5um；

所述电流注入窗口(5)外侧、绝缘介质层(9)的外侧以及N型衬底层(3)的下表面均设置有导电金属层。

7.根据权利要求6所述的半导体激光器阵列巴条，其特征在于：多个发光脊条(8)之间的间距设置为相等或不相等。

8.根据权利要求7所述的半导体激光器阵列巴条，其特征在于：所述发光脊条(8)包括由下至上依次设置的N型限制层(7)、量子阱波导层(6)和P型限制层(4)。

9.根据权利要求8所述的半导体激光器阵列巴条，其特征在于：所述发光脊条(8)通过设置在N型衬底层(3)表面的外延晶体层刻蚀形成。