[发明专利]背照式图像传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202111579805.2 | 申请日： | 2021-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN116344558A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 李继刚 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了背照式图像传感器及其形成方法，该方法包括：提供具有正面和背面的衬底；刻蚀所述衬底的背面，形成沟槽；至少在所述沟槽侧壁和底部形成第一介质层；在所述沟槽的下部填充第二介质层；通过沉积和刻蚀工艺，形成第一金属层；其中，所述第一金属层的下部填充所述沟槽的上部，所述第一金属层的上部位于所述沟槽的上方。本发明技术方案通过第一金属层的下部填充背面沟槽隔离结构的上部，可以降低相邻的像素之间的光线串扰；第一金属层的上部设置在背面沟槽隔离结构的上方，可以进一步降低相邻的像素之间的光线串扰。 | ||
| 搜索关键词： | 背照式 图像传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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