[发明专利]压力传感器结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202111576517.1 | 申请日： | 2021-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN116313367A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 冯雪;杜琦峰;陈颖 | 申请（专利权）人： | 浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学 |
| 主分类号： | H01F5/00 | 分类号： | H01F5/00;H01F41/02;G01L19/00 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 林丽璀 |
| 地址： | 314006 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请的压力传感器结构包括磁性柱状体、第一导电线圈层与第二导电线圈层；第一导电线圈层设置在磁性柱状体的高度方向上的一侧，第二导电线圈层设置在磁性柱状体的高度方向上的另一侧，磁性柱状体具有柔性。本申请的压力传感器结构的制备方法：提供一磁性柱状体、第一导电线圈层和第二导电线圈层，磁性柱状体具有柔性；将第一导电线圈层组装至磁性柱状体的高度方向上的一侧，将第二导电线圈层组装至磁性柱状体的高度方向上的另一侧，得到压力传感器结构。本申请的磁性柱状体设置在第一导电线圈层与第二导电线圈层之间，外部压力作用改变磁性柱状体的伸缩状态时，磁性柱状体产生的磁场强度变化，使导电线圈层产生感应电流，实现了自供电压力感应。 | ||
| 搜索关键词： | 压力传感器 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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