[发明专利]提高出光均匀程度的发光二极管外延片及制备方法有效
| 申请号： | 202111574240.9 | 申请日： | 2021-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN114447170B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 王群;龚逸品;陶羽宇;茅艳琳;李鹏;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开提供了提高出光均匀程度的发光二极管外延片及制备方法，属于发光二极管制作领域。第一应变调节层包括依次层叠的第一调节子层与第二调节子层，第一调节子层中Al组分由0.7～1降低至0.05～0.2，第二调节子层中Al组分不变，且第二调节子层中Al组分与第一调节子层靠近第二调节子层的表面的Al组分相同，第一调节子层的厚度为第二调节子层的厚度的1～3倍。抵消部分热应力，提供张应力。第二应变调节层上中n型GaN调节子层与n型InGaN过渡到InGaN/GaN多量子阱层，In的分布更均匀，In在不同位置析出的情况也少，可以有效提高最终得到的发光二极管的出光均匀度。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 均匀 程度 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
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