[发明专利]半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 202111566891.3 | 申请日： | 2021-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN113964023B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 陈忠奎;胡良斌;唐斌;薛英武 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 冯启正 |
| 地址： | 510000 广东省广州市中*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括在晶圆沟槽的内壁形成场氧化层，接着在晶圆的第一表面和第二表面沉积掺杂多晶硅层，使沟槽上的掺杂多晶硅层高出所述第一表面一设定厚度，并在第一表面和第二表面的掺杂多晶硅层上沉积非掺杂多晶硅层，再去除第一表面上的非掺杂多晶硅层及部分掺杂多晶硅层至沟槽内掺杂多晶硅层的厚度符合器件性能要求。其中，掺杂多晶硅层的沉积温度和沉积厚度根据沟槽内形成场氧化层后晶圆的翘曲度及晶圆在沟槽延伸方向和沟槽排列方向的翘曲度差异确定的。本发明通过优化多晶硅沉积工艺条件调节深沟槽晶圆的翘曲度，既解决了300mm晶圆上实现大规模量产深沟槽产品的瓶颈问题，提高了生产效率，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州粤芯半导体技术有限公司，未经广州粤芯半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111566891.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种25Hz相敏轨道电路监测方法及系统
- 下一篇：半导体器件的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
