[发明专利]半导体器件的制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供晶圆，所述晶圆具有相对的第一表面和第二表面；

在所述第一表面形成沟槽；

在所述沟槽的内壁和所述第二表面形成场氧化层；

在所述第一表面和所述第二表面沉积掺杂多晶硅层，使所述沟槽上的掺杂多晶硅层高出所述第一表面一设定厚度；

在所述第一表面和所述第二表面的掺杂多晶硅层上沉积非掺杂多晶硅层；

去除所述第一表面上的非掺杂多晶硅层及部分掺杂多晶硅层，至所述沟槽内掺杂多晶硅层的厚度符合器件性能要求。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述沟槽的内壁和所述第二表面形成场氧化层之后，所述第一表面和所述第二表面沉积掺杂多晶硅层之前，还包括：

测量所述晶圆在沟槽延伸方向和沟槽排列方向的翘曲度；

根据测量结果计算晶圆在所述沟槽延伸方向和所述沟槽排列方向需要调节的翘曲度，及晶圆在所述沟槽延伸方向和所述沟槽排列方向的翘曲度差值；

根据所述翘曲度和所述翘曲度差值，确定所述掺杂多晶硅层的沉积温度。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述第一表面和所述第二表面沉积掺杂多晶硅层之前，还包括：

在确定所述掺杂多晶硅层的沉积温度的情况下，根据所述沟槽的深度、宽度、深宽比、掺杂多晶硅层填充效果及半导体器件的电性参数确定所述掺杂多晶硅层的沉积厚度。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，采用研磨工艺或者刻蚀工艺去除所述第一表面上的非掺杂多晶硅层及部分掺杂多晶硅层。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述第一表面和所述第二表面沉积掺杂多晶硅层之前，还包括：根据所述研磨工艺或者所述刻蚀工艺的工艺要求确定所述第二表面沉积的所述掺杂多晶硅层和所述非掺杂多晶硅层的总厚度。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述第一表面和所述第二表面的掺杂多晶硅层上沉积非掺杂多晶硅层之后，去除所述第一表面上的非掺杂多晶硅层及部分掺杂多晶硅层之前，还包括：

测量所述晶圆在沟槽延伸方向和沟槽排列方向的翘曲度；

根据测量结果，确定去除的所述第一表面上的非掺杂多晶硅层及部分掺杂多晶硅层的厚度，调整所述晶圆的翘曲度。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述第一表面和所述第二表面的掺杂多晶硅层上沉积非掺杂多晶硅层包括：采用不同沉积温度和不同沉积厚度的非掺杂多晶硅层组合进行多步沉积。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述第一表面和所述第二表面的掺杂多晶硅层上沉积非掺杂多晶硅层后还包括：在所述非掺杂多晶硅层上进行掺杂多晶硅层与非掺杂多晶硅层的循环沉积。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二表面沉积的所述掺杂多晶硅层和所述非掺杂多晶硅层的总厚度的范围为8000Å~20000Å。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述设定厚度的范围为1800Å~2500Å。

11.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述掺杂多晶硅的沉积温度的范围为500℃~600℃。

12.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，采用高温热氧化工艺形成所述场氧化层，工艺温度的范围为700℃~1200℃，所述场氧化层的厚度的范围为300Å~8000Å。

13.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述沟槽的深度的范围为5μm~10μm，深宽比的范围为8~18。