[发明专利]背照式图像传感器及其形成方法在审
| 申请号: | 202111563810.4 | 申请日: | 2021-12-20 |
| 公开(公告)号: | CN114156300A | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
| 发明(设计)人: | 李梦 | 申请(专利权)人: | 上海微阱电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 黄海霞 |
| 地址: | 201210 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种背照式图像传感器,包括半导体衬底,所述半导体衬底具有正表面和背表面;设于所述半导体衬底内的浅隔离槽和感光单元;设于所述半导体衬底内的深隔离槽;覆盖所述半导体衬底的正表面的第一介质层,所述第一介质层包括金属互连结构;覆盖所述半导体衬底的背表面的第二介质层,所述第二介质层包括金属栅格和导通结构,所述导通结构的一端与金属栅格导通,另一端与焊盘结构导通;焊盘结构,贯穿所述半导体衬底和所述第二介质层,且与所述金属互连结构连通。该背照式图像传感器的工艺步骤相比现有结构能够减少光罩版的使用,同时能实现金属栅格电势调节,减少工艺步骤,节约成本及改善图像传感器性能。 | ||
| 搜索关键词: | 背照式 图像传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





