[发明专利]背照式图像传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括：

半导体衬底(100)，所述半导体衬底具有正表面(1001)和背表面(1002)；

设于所述半导体衬底(100)内的浅隔离槽(101)和感光单元(102)，且所述浅隔离槽(101)和感光单元(102)接触半导体衬底(100)的正表面(1001)；

设于所述半导体衬底(100)内的深隔离槽(103)，且所述深隔离槽(103)接触半导体衬底(100)的背表面(1002)；

覆盖所述半导体衬底的正表面(1001)的第一介质层(200)，所述第一介质层(200)包括金属互连结构(201)；

覆盖所述半导体衬底(100)的背表面(1002)的第二介质层(300)，所述第二介质层(300)包括金属栅格301和导通结构(500)，所述导通结构(500)的一端与金属栅格(301)导通，另一端与焊盘结构(400)导通；

焊盘结构(400)，贯穿所述半导体衬底(100)和所述第二介质层(300)，且与所述金属互连结构(201)连通。

2.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述金属栅格(301)在所述第二介质层(300)围成对应于所述光电二极管的开口。

3.根据权利要求2所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述导通结构(500)的宽度不超过金属栅格(301)的最大尺寸。

4.根据权利要求1至3任一项所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述第一介质层还包括外围电路(202)，所述外围电路(202)用于实现信号传输或信号处理。

5.根据权利要求1至3任一项所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述深隔离槽(103)和所述浅隔离槽(101)位于不同的所述感光单元(102)之间，用于隔离不同的所述感光单元(102)，所述深隔离槽(103)在所述浅隔离槽(101)的竖直方向。

6.一种背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底(100)，所述半导体衬底具有正表面(1001)和背表面(1002)；

形成位于所述半导体衬底(100)内的浅隔离槽(101)和感光单元(102)，所述浅隔离槽(101)和感光单元(102)接触半导体衬底(100)的正表面(1001)；

形成位于所述半导体衬底(100)内的深隔离槽(103)，所述深隔离槽(103)接触半导体衬底(100)的背表面(1002)；

形成覆盖所述半导体衬底的正表面(1001)的第一介质层(200)；

形成位于所述第一介质层(200)的金属互连结构(201)；

形成覆盖所述半导体衬底(100)的背表面(1002)的第二介质层(300)；

通过图形化和淀积金属，形成位于所述第二介质层(300)的金属栅格(301)；

形成位于所述第二介质层(300)的导通结构(500)和焊盘结构(400)，所述导通结构(500)的一端与金属栅格(301)导通，另一端与焊盘结构(400)导通；所述焊盘结构(400)贯穿所述半导体衬底(100)和所述第二介质层(300)，且与所述金属互连结构(201)连通。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述形成位于所述第二介质层(300)的导通结构(500)和焊盘结构(400)，包括：

通过图形化形成贯穿所述半导体衬底(100)和所述第二介质层(300)的第一沟槽，且与所述半导体衬底(100)的正表面(1001)接触；

通过图形化形成第二沟槽，所述第二沟槽的第一部分位于所述第一介质层(200)，且与金属互连结构(201)的第一层金属互连层接触，所述第二沟槽的第二部分位于所述第二介质层(300)且与金属栅格(301)相接触；

通过淀积填充所述第一沟槽和第二沟槽，并在所述第二介质层(300)表面形成金属层；

对所述金属层进行图形化，形成第二介质层(300)的导通结构(500)和焊盘结构(400)。