[发明专利]一种含吩嗪并二噻吩类免掺杂空穴传输材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202111563227.3 | 申请日： | 2021-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN114315856B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 陈瑾;许春晨;刘依梦;崔景源;丁师杰;陈静;蒋金龙;王志辉 | 申请（专利权）人： | 淮阴工学院 |
| 主分类号： | C07D495/14 | 分类号： | C07D495/14;H10K50/15;H10K85/60 |
| 代理公司： | 淮安市科文知识产权事务所 32223 | 代理人： | 姜华 |
| 地址： | 211700 江苏省淮*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含吩嗪并二噻吩类免掺杂空穴传输材料及其制备方法及在钙钛矿太阳能电池中的应用。该类空穴传输材料以吩嗪并二噻吩为分子核，其吸电子特性能有效降低空穴分子的HOMO能级，提高电池器件的开路电压；同时其刚性平面化分子构型显著增强分子间π‑π堆积效应，提升空穴传输性能。本发明合成路线简单、成本低廉，所合成的材料具有高的光热稳定性能。将其应用于钙钛矿太阳能电池，无需掺杂即可获得19.07%的光电转化效率，具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 吩嗪 噻吩 掺杂 空穴 传输 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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