[发明专利]一种含吩嗪并二噻吩类免掺杂空穴传输材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种含吩嗪并二噻吩类免掺杂空穴传输材料，其特征在于，具有式(5)或式(8)所示的化学结构式：

2.制备如权利要求1所述的一种含吩嗪并二噻吩类免掺杂空穴传输材料的方法，其特征在于，所述的式(5)化合物的制备方法包括如下步骤：

使式(1)化合物与式(2)化合物反应生成式(3)所示化合物；使式(3)化合物与式(4)化合物发生Suzuki偶联反应生成式(5)所示化合物，即含吩嗪并二噻吩类免掺杂空穴传输材料，化学反应方程式如下：

3.根据权利要求2所述的一种含吩嗪并二噻吩类免掺杂空穴传输材料的制备方法，其特征在于，具体包括如下步骤：

步骤一，氩气保护下，使式(1)化合物在混合溶剂乙醇和乙酸中与式(2)化合物发生反应生成式(3)所示化合物，其中化合物用量以物质的量计，式(1)化合物：式(2)化合物＝1：1～2，反应温度为100～120℃，反应时间为4～12h；

步骤二，使式(3)化合物在四氢呋喃溶剂中，氩气保护条件下，在四三苯基磷钯和碳酸钾作用下与式(4)化合物发生Suzuki偶联反应生成式(5)所示化合物，即基于吩嗪并二噻吩免掺杂空穴传输材料，其中化合物用量以物质的量计，式(3)化合物：式(4)化合物：四三苯基膦钯：碳酸钾＝1：4～8：0.02～0.1：4～10，反应温度为25～80℃，反应时间为6～24h。

4.制备如权利要求1所述的一种含吩嗪并二噻吩类免掺杂空穴传输材料的方法，其特征在于，所述的式(8)化合物的制备方法包括如下步骤：

使式(1)化合物与式(6)化合物反应生成式(7)所示化合物；使式(7)化合物与式(4)化合物发生Suzuki偶联反应生成式(8)所示化合物，即含吩嗪并二噻吩类免掺杂空穴传输材料，化学反应方程式如下：

5.根据权利要求4所述的一种含吩嗪并二噻吩类免掺杂空穴传输材料的制备方法，其特征在于，具体包括如下步骤：

步骤一，氩气保护下，使式(1)化合物在混合溶剂乙醇和乙酸中与式(6)化合物发生反应生成式(7)所示化合物，其中化合物用量以物质的量计，式(1)化合物：式(6)化合物＝1：1～2，反应温度为100～120℃，反应时间为4～12h；

步骤二，使式(7)化合物在四氢呋喃溶剂中，氩气保护条件下，在四三苯基磷钯和碳酸钾作用下与式(4)化合物发生Suzuki偶联反应生成式(8)所示化合物，即基于吩嗪并二噻吩免掺杂空穴传输材料，其中化合物用量以物质的量计，式(7)化合物：式(4)化合物：四三苯基膦钯：碳酸钾＝1：4～8：0.02～0.1：4～10，反应温度为25～80℃，反应时间为6～24h。

6.根据权利要求2或4任意一项所述的一种含吩嗪并二噻吩类免掺杂空穴传输材料的制备方法，其特征在于，所述方法的各步骤中还包含分离纯化的步骤。

7.如权利要求1所述的一种含吩嗪并二噻吩类免掺杂空穴传输材料在钙钛矿太阳能电池中的应用。