[发明专利]一种掺杂碳化硅薄膜方阻测试方法在审
| 申请号： | 202111562838.6 | 申请日： | 2021-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN114280374A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 盛况;冉飞荣;任娜;王珩宇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | G01R27/08 | 分类号： | G01R27/08;G01R31/26 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 高明翠 |
| 地址： | 311200 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种掺杂碳化硅薄膜表面制备电极实现掺杂碳化硅薄膜方阻测试方法，该方法通过在碳化硅薄膜表面形成独立的欧姆接触电极，探针通过电极测试薄膜的方阻，解决了掺杂碳化硅薄膜与金属探针难以形成欧姆接触的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 碳化硅 薄膜 测试 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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