[发明专利]金属薄膜缺陷的检测方法在审
| 申请号： | 202111561816.8 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN114334688A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 孙洪福;罗锟;丁同国;梁肖 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种金属薄膜缺陷的检测方法，先在半导体衬底上形成具有铜析出物的金属薄膜，然后执行湿法清洗工艺以在所述金属薄膜的表面形成与所述铜析出物对应的空洞，在执行湿法清洗工艺的过程中，湿法清洗工艺的清洗液会与金属薄膜表面的铜析出物发生化学反应从而形成所述空洞，通过空洞可以简单、准确及快速的得到金属薄膜表面的铜析出物的缺陷分布。进一步的，通过扫描所述金属薄膜以获得所述金属薄膜表面预定区域内的空洞的数量，可将金属薄膜表面的铜析出物缺陷可量化，由此可以表征金属薄膜的铜析出物缺陷的含量，从而通过铜析出物的含量评估金属薄膜的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 薄膜 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
