[发明专利]一种CELL填充方法在审
| 申请号： | 202111561669.4 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN114284274A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 郭霞文;王虎;顾林;许昭昭;杜怡行 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11517 | 分类号： | H01L27/11517;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了CELL填充方法，包括：在cell区域和Peri区域沉积控制栅多晶硅层；在控制栅多晶硅层上沉积氮化硅层；对氮化硅层窗口化后进行cell区域和Peri区域的刻蚀，形成栅极；在Peri区域进行离子注入后，去除剩余的氮化硅层，对所述cell区域进行ILD填充。在CELL填充方法中，利用减薄cell区film厚度替代CGEB工艺，相比CGEB工艺，本申请中直接降低沉积控制栅多晶硅层的高度，使得形成的控制栅极的高度调整空间变大，因此ILD填充窗口变大，避免BL失效的问题。同时，由于控制栅多晶硅层的高度降低，无需进行控制栅回刻的方法减薄控制栅多晶硅层，可以减少一道光刻工艺，节约了材料成本以及机台产能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cell 填充 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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